电子：3D DRAM：开启端侧AI蓝海

创建于 2025-06-23T11:19:33.954073+08:00 更新于 2025-06-23T11:50:57.199519+08:00

摘要

报告指出DRAM制程微缩受限，未来核心在于从2D向3D架构转变，尤其混合键合技术提升堆叠层数和散热效能。AI端侧推理受限于内存带宽，3D DRAM与NPU结合可显著突破瓶颈，海外及中国厂商均积极布局3D DRAM+NPU技术，加速端侧AI广泛应用的发展[page::0]。